压阻传感器表面检测

　　压阻传感器作为目前应用最广的MEMS压力传感器之一，在石油化工、冶金、汽车、航空发动机等环境下的压力测量领域具有广泛的应用。绝缘体上硅(Silicon on　Insulator，SOI)传感器是一种新型的半导体高温压阻传感器，它通过SiO2绝缘层将检测电路与基底硅隔离，避免了高温下电路层与基底硅之间的漏电现象，因而比扩散硅压力传感器具有更高的工作温度，具有耐高温、抗辐射和稳定好等优点。实际测试证明：在220℃温度内SOI敏感芯片可在压力量程内正常工作，且线性度变化依然控制在较小的范围内。与谐振式MEMS压力传感器相比，SOI压力传感器具有制造简单、封装工艺成熟等优点。

　　典型的压阻传感器的封装工艺是将清洗过的含有敏感电路的芯片与Pyrex7740玻璃通过阳极键合形成可靠的静电连接。成熟的硅/玻璃阳极键合的工艺是将硅片和玻璃加热到300℃左右温度后施加1000V 以上的直流电压，在硅片和玻璃界面之间发生不可逆的化学反应。

　　压阻传感器的芯片微小、组装精度要求高。由于传感器性能(灵敏度、线性度)与组装精度关系密切，所以对于压阻传感器，作为核心工艺的键合质量必须加以把控。然而，现阶段常用的阳极键合质量检测手段依然是依靠其他仪器进行，主要包括最大扭矩测试法、气密性测试法、抗拉实验等。对于压阻传感器的芯片封装工艺，这些检测方法不太适宜自动化封装工艺的实现，且侧重于键合强度的检测，不符合以实现传感器性能检测的目标。因而压阻传感器封装质量一直依赖人工检测，效率低的同时带来了检测结果的不可靠性。