亚纳米级精度光学表面检测技术发展趋势
光刻线宽不断减小是光刻机发展的趋势,光刻线宽已从21世纪初的90nm、65nm逐步发展到了22nm,甚至更小线宽.与之对应,光刻机曝光光学系统制造对检测精度的要 ... ...
光刻线宽不断减小是光刻机发展的趋势, 光刻线宽已从21 世纪初的90 nm、65 nm 逐步发展到了22 nm, 甚至更小线宽. 与之对应, 光刻机曝光光学系统制造对检测精度的要求也随之不断提高. 国际上曝光光学系统制造对检测的精度需求已由亚纳米级逐步发展到皮米级, 同时对灵敏度和信噪比的要求也不断提高. 亚纳米级精度光学表面检测技术发展趋势主要表现为: 从相对测量到绝对测量, 突破检测仪器和检测方法的精度限制, 建立绝对标准, 实现光学表面精确测量; 从静态测量到瞬态测量, 降低对环境控制的依赖性, 减小由环境因素引入的测量误差, 实现高精度测量; 通过多数据融合和多
模式交叉检测提高检测精度和可靠性. 建议在实现具有自主知识产权、可持续进行优化改进的亚纳米级精度光学表面检测技术进行布局, 在"十三五" 期间突破亚纳米级精度光学表面检测技术, 并在下一步突破皮米级精度光学表面检测技术, 同时为工业应用奠定技术基础.
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